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【科普】DRAM、FLASH、DDR定义及其厂商【LOL外围】

本文摘要:定义DRAMDRAM(DynamicRandomAccessMemory),即动态随机存取存储器,尤为少见的系统内存。

定义DRAMDRAM(DynamicRandomAccessMemory),即动态随机存取存储器,尤为少见的系统内存。DRAM不能将数据维持很短的时间。

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为了保持数据,DRAM用于电容存储,所以必需于隔年一段时间创下(refresh)一次,如果存储单元没被创下,存储的信息就不会遗失(关机就不会遗失数据)。Flash内存Flash内存即FlashMemory,仅有名为FlashEEPROMMemory,又名存储器,是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能维持所存储的数据信息)的存储器,数据移除不是以单个的字节为单位而是以相同的区块为单位,区块大小一般为256KB到20MB。

存储器是电子可读取只读存储器(EEPROM)的变种,EEPROM与存储器有所不同的是,它能在字节水平上展开移除和改写而不是按区块擦写,这样存储器就比EEPROM的改版速度快,所以被称作FlasheraseEEPROM,或全称为FlashMemory。由于其断电时仍能留存数据,存储器一般来说被用来留存设置信息,如在电脑的BIOS(基本输入输出程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中留存资料等。

另一方面,存储器不像RAM(随机存取存储器)一样以字节为单位重写数据,因此无法代替RAM。NORFlash和NANDFlashNORFlash和NANDFlash是现在市场上两种主要的非易俱存储器技术。

Intel于1988年首先研发出有NORFlash技术,彻底改变了原本由EPROM(ErasableProgrammableRead-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory)一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司公开发表了NANDFlash结构,特别强调减少每比特的成本,有更高的性能,并且像磁盘一样可以通过模块轻松升级。NORFlash的特点是芯片内继续执行(XIP,eXecuteInPlace),这样应用程序可以必要在Flash存储器内运营,不用再行把代码读书到系统RAM中。

NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具备很高的成本效益,但是很低的载入和读取速度大大影响到它的性能。NAND的结构能获取极高的单元密度,可以超过低存储密度,并且载入和读取的速度也迅速。应用于NAND的艰难在于Flash的管理和必须类似的系统模块。

一般来说加载NOR的速度比NAND稍快一些,而NAND的载入速度比NOR慢很多,在设计中应当考虑到这些情况。DDRDDR=DoubleDataRate双倍速率实时动态随机存储器。

严苛的说道DDR应当叫DDRSDRAM,人们习惯称作DDR,其中,SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory的简写,即实时动态随机存取存储器。而DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的简写,是双倍速率实时动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,依然延用SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对生产普通SDRAM的设备稍作改良,才可构建DDR内存的生产,可有效地的降低成本。

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DDR2DDR2(DoubleDataRate2)SDRAM是由JEDEC(电子设备工程牵头委员会)展开研发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准仅次于的有所不同就是,虽然同是使用了在时钟的下降/上升延同时展开数据传输的基本方式,但DDR2内存却享有两倍于上一代DDR内存实加载能力(即:4bit数据读书预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟需要以4倍外部总线的速度读书/写出数据,并且需要以内部掌控总线4倍的速度运营。此外,由于DDR2标准规定所有DDR2内存皆使用FBGAPCB形式,而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-IIPCB形式,FBGAPCB可以获取了更加较好的电气性能与风扇性,为DDR2内存的平稳工作与未来频率的发展获取了扎实的基础。

返回想DDR的发展历程,从第一代应用于到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也跑到了技术的无限大,早已很难通过常规办法提升内存的工作速度;随着Intel近期处理器技术的发展,前端总线对内存比特率的拒绝是更加低,享有更高更加平稳运营频率的DDR2内存将是大势所趋。DDR3DDR3是一种计算机内存规格。它归属于SDRAM家族的内存产品,获取了相比于DDR2SDRAM更高的运营效能与更加较低的电压,是DDR2SDRAM(四倍资料亲率实时动态随机存取内存)的后继者(减少至八倍),也是现时风行的内存产品规格。

主要特点:(1)功耗和发热量较小:汲取了DDR2的教训,在掌控成本的基础上增大了能耗和发热量,使得DDR3更加更容易被用户和厂家拒绝接受。(2)工作频率更高:由于能耗减少,DDR3可实现更高的工作频率,在一定程度填补了延迟时间较长的缺点,同时还可作为显示卡的卖点之一,这在配上DDR3RAM的显示卡上已有所展现出。


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